238 層 4D NAND 閃存量產，國產手機或率先使用，傳輸速度每秒 2.4Gb-每日視點

【資料圖】

6 月 8 日消息，SK 海力士 8 日宣布，已開始量產 238 層 4D NAND 閃存，并正在與生產智能手機的海外客戶公司進行產品驗證。

SK 海力士總部位于韓國，這里指的“智能手機海外客戶”非常有可能是中國國產手機廠商，這意味著國產手機將率先用上 238 層 4D NAND 閃存。

238 層 NAND 閃存是目前世界上最小體積的芯片，生產效率比上一代的 176 層提升了 34%，數據傳輸速度為每秒 2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快 50%。并且也改善了約 20% 的讀寫性能。

SK 海力士稱，238 層 NAND 閃存可將為采用該產品的智能手機和 PC 提供更高的性能。

SK 海力士計劃在完成智能手機客戶公司的驗證后，首先向移動端產品供應 238 層 NAND 閃存，隨后將其適用范圍擴大到基于 PCIe 5.0 的 PC 固態硬盤（SSD）和數據中心級高容量固態硬盤產品等。 

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